图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 90A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 58µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 82nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6600pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 115W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 90 A |
| 系列 | IPD053N06 |
| RDS（ON） | 5.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 115 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-252 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 零件号别名 | IPD053N06N3GBTMA1 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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